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簿栅介质膜的电特性研究

作者姓名：	张佐兰冯耀兰刘荣章陈剑云

作者单位：	南京工学院(张佐兰，冯耀兰)，常州半导体厂(刘荣章)，常州半导体厂(陈剑云)

摘要：	本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明,合理的清洗方法是制备高质量氧化膜的前提,等温两步HCl氧化技术是工业化大生产中行之有效的方法.
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