|
|||||
|
|
| 常规的与浸泡的金属离子植入的比较 | |
| 引用本文： | Brown,IG 郜雨.常规的与浸泡的金属离子植入的比较[J].国外核聚变与等离子体应用,1995(4):63-67. |
| 作者姓名： | Brown IG 郜雨 |
| 摘 要： | 可以把真空弧产生的金属等离子体用作常规金属离子植入用的离子源中离子的原材料，或可用作等离子体浸泡离子植入的浸泡等离子体。在两种情况下，产生等离子体的基本方法是一样的；方法是简单折、有效的，并可与各种金属一起使用。不同种类的真空弧离子源由本文作者及其他人研制出来，它们作为金属离子植入工具的适用性已为人们公认。金属等离子体浸泡表面处理是一种刚出现的方法，它的性能和应用是本研究的课题。不论在所使用的工序 |
| 关 键 词： | 金属 离子植入 常规 浸泡 离子源 真空弧 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |