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| “楼梯式”固体光电倍增器和雪崩光电二极管 | |
| 作者姓名： | F. Capasso G. F. Williams W. T. Tsang 程泰平 |
| 作者单位： | Bell Labs.Murray Hill，NJ.07974，Bell Labs.Murray Hill，NJ.07974，Bell Labs.Murray Hill，NJ.07974 |
| 摘 要： | 一种旨在增加电离率之比的新型雪崩光电二极管结构近来尤为引人注目。论证了超晶格和缓变带隙、且α/β≈10的APD。提出了具有单一载流子(电子)倍增的两种新颖结构。图1示出了其中一种结构,名曰“楼梯式”APD结构,它由许多缓变带隙能级组成。当空穴不参与倍增时,这是因为价带不连续性构成了空穴难于逾越的势垒,同时偏置电场又太小,以至远离导带台阶的空穴不能电 |
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