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| 磁控溅射低温制备ZnO:Al透明导电薄膜的正交设计 | |
| 引用本文： | 王涛,刁训刚,舒远杰,武哲. 磁控溅射低温制备ZnO:Al透明导电薄膜的正交设计[J]. 功能材料, 2007, 38(3): 369-372 |
| 作者姓名： | 王涛 刁训刚 舒远杰 武哲 |
| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学,理学院,北京,100083 2. 中国工程物理研究院,化工材料研究所,四川,绵阳,621900 3. 北京航空航天大学,航空科学与技术学院,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 中国工程物理研究院"双百"人才基金 |
| 摘 要： | 采用锌铝(2%(质量分数))合金靶,保持真空腔在50℃低温下,结合正交试验表,运用直流反应磁控溅射法制得ZnO∶Al(ZAO)薄膜.通过分光光度计、半导体霍尔效应测试等手段对薄膜各项性能进行了表征.通过正交分析法对所得样品相关特征指标进行分析,在少量的9组实验下,得到溅射功率、时间、靶基距和氧流量百分比4个独立工艺参数对薄膜特性影响的同时,得出直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜的最优组合工艺为:溅射时间20min,靶基距6cm,溅射功率80W,氧流量百分比7%;对应样品的Фic值达4.1050×10-2/Ω,电阻率为3.9×10-4Ω·cm,载流子浓度达1.09×1021/cm3. |
| 关 键 词： | ZAO薄膜 正交设计 低温 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）03-0369-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-19 |
Orthogonal design for fabrication of transparent conductive ZnO:Al films by DC magnetron sputtering at low temperature |
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| WANG Tao,DIAO Xun-gang,SHU Yuan-jie,WU Zhe. Orthogonal design for fabrication of transparent conductive ZnO:Al films by DC magnetron sputtering at low temperature[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(3): 369-372 | |
| Authors: | WANG Tao DIAO Xun-gang SHU Yuan-jie WU Zhe |
| Affiliation: | 1. School of Science, Beihang University, Beijing 100083, China; 2. Institute of Chemical Materials, CAEP, Mianyang 621900, China; 3. School of Aeronautic Science and Technology, Beihang University, Beijing 100083,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | ZAO films orthogonai design low substrate temperature magnetron sputtering |
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