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大功率STATCOM装置IGBT吸收电路参数的多目标优化设计
引用本文:马国喜,李正国,罗安,杨勇. 大功率STATCOM装置IGBT吸收电路参数的多目标优化设计[J]. 电力科学与技术学报, 2003, 18(3): 23-25,54
作者姓名:马国喜  李正国  罗安  杨勇
作者单位:中南大学,信息科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,信息科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,信息科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,信息科学与工程学院,湖南,长沙,410083
基金项目:科技部科技攻关项目,2002BA218C,
摘    要:提出了采用一种并行自校正多目标遗传算法,对大功率STATCOM装置的IGBT吸收电路参数选型进行优化.通过设计实例表明,这种选优方法设计的吸收电路可靠性高,工程应用价值大.

关 键 词:STATCOM  吸收电路  并行自校正多目标遗传算法
文章编号:1006-7140(2003)03-0023-03
修稿时间:2003-05-20

Multi-objective Optimization Design of IGBT Snubber Circuit Parameters for High Power STATCOM
Abstract:
Keywords:
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