| MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响 |
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| 引用本文： | 詹琰,夏冠群,赵福川,李传海,朱朝嵩. MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(3): 186-189 |
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| 作者姓名： | 詹琰 夏冠群 赵福川 李传海 朱朝嵩 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!(批准号:69676003) |
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| 摘 要： | 研究了ＭＥＳＦＥＴ的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
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| 关 键 词： | 砷化镓 MESFET 旁栅阈值电压 源漏电压 旁栅间距 |
| 修稿时间： | : |
Effect of MESFET VDS and distance of sode- gates on side- gating threshold voltage |
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| ZHAN Yan,XIA Guan-qun,ZHAO Fu-chuan,LI Chuan-hai,ZHU Chao-song. Effect of MESFET VDS and distance of sode- gates on side- gating threshold voltage[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(3): 186-189 |
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| Authors: | ZHAN Yan XIA Guan-qun ZHAO Fu-chuan LI Chuan-hai ZHU Chao-song |
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