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一种BiCMOS能隙基准电压电路
引用本文:王伟东,胡正,冯旭,汪西川. 一种BiCMOS能隙基准电压电路[J]. 微计算机信息, 2004, 20(2): 89-90
作者姓名:王伟东  胡正  冯旭  汪西川
作者单位:200072,上海,延长路149号上海大学221信箱
摘    要:设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20℃~80℃变化时,其输出电压变化率为0.25mV/℃;电源电压在4V~8V变化时,其输出电压变化率为6.25mV/V。

关 键 词:模拟集成电路 BiCMOS工艺 能隙基准电压电路 电路图 线性稳压器
文章编号:1008-0570(2004)02-0089-02
修稿时间:2003-09-20

A BiCMOS Bandgap Voltage Reference Circuit
Wang.Weidong Hu.Zheng Feng.Xu Wang.Xichuan. A BiCMOS Bandgap Voltage Reference Circuit[J]. Control & Automation, 2004, 20(2): 89-90
Authors:Wang.Weidong Hu.Zheng Feng.Xu Wang.Xichuan
Affiliation:Wang.Weidong Hu.Zheng Feng.Xu Wang.Xichuan
Abstract:
Keywords:BiCMOS  Bandgap voltage reference  CADAENCE
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