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| 几种新型非易失性存储器 | |
| 引用本文： | 王耘波,李东,郭冬云. 几种新型非易失性存储器[J]. 电子产品世界, 2004, 0(3): 75-77 |
| 作者姓名： | 王耘波 李东 郭冬云 |
| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系;华中科技大学电子科学与技术系;华中科技大学电子科学与技术系 |
| 摘 要： | 本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等. |
| 关 键 词： | 非易失性存储器 FeRAM MRAM OUM |
The New Nonvolatile Memories |
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| Abstract: | |
| Keywords: | FeRAM MRAM OUM |
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