双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性

本文从理论和实验两方面对积极型晶体管电流增益HFE与发射区杂质浓度NE的关系的温度特性进行了探讨。研究结果表明，HFE与NE的相关程度与温度有关，在常温下，HFE随NE的增加而增加；当温度升高时，HFE将随NE的增加而更剧烈地增加。