大功率LED正向电压与温度的变化关系研究

对LED正向压降随温度变化的机理进行理论分析,并在1~400 mA范围内对GaN材料的1 W大功率LED正向电压随温度的变化关系进行了试验研究。发现P型欧姆接触电阻小的芯片,其变化关系是线性的;P型欧姆接触电阻大的芯片,在大电流(200 mA以上)条件下,且温度达到120℃时,其变化关系发生改变,系数由负变为正。本文得到的试验结果对实际应用有指导意义。