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| CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究 | |
| 引用本文： | 杨柏梁,石川幸雄,一色实.CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究[J].半导体学报,1999,20(7):548-553. |
| 作者姓名： | 杨柏梁 石川幸雄 一色实 |
| 作者单位： | [1]中国科学院长春研究所 [2]日本东北大学素材工学研究怕 |
| 摘 要： | 本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关． |
| 关 键 词： | 碲化镉 单晶 发光峰 实验 |
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