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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究
作者姓名:
杨柏梁
石川幸雄
一色实
作者单位:
[1]中国科学院长春研究所 [2]日本东北大学素材工学研究怕
摘 要:
本文使用高纯度和高品位的单晶材料,通过Cu掺杂和退火实验,利用光致发光研究了CdTe发光光谱中1.5896eV处的主要中性受主束缚激子发光的起因.结果表明,该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成.它们具有两个起因,其中能量较低的一个是CuCd,另一个与Cd空位VCd有关.
关 键 词:
碲化镉 单晶 发光峰 实验
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