中国瑞典合作的InGaAs量子阱激光器研究取得新成果

中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的量子阱激光器取得最新成果。这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变量子阱为有源区实现了1．58μm室温激射，这是迄今为止国际上GaAs基异变结构长波长激光器的最新进展：表明GaAs基InGaAs异变量子阱结构是制备1．55μm波段光电子器件的一种可行性新材料。