|
|||||
|
|
| 碳热还原合成碳化硅温度场及压力场的数值模拟 | |
| 作者姓名： | 宁瑞东 李阳 杜双明 |
| 摘 要： | 通过对碳热还原合成SiC温度场与压力场的数值模拟，研究了冶炼炉内的温度、压力随合成时间的变化规律。研究结果表明，随着合成时间的延长，热量向外传递，高温等温面逐渐向外扩展，适合生成SiC的温区面积逐渐增大，过长的合成时间增加能耗，SiC分解加剧，产率降低。与单热源炉相比，平行三热源炉内压力分布比较均匀，炉内平均压力维持在... |
| 关 键 词： | SIC 温度场 压力场 数值模拟 |
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |