| 磷掺杂对非晶硅薄膜结构及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 殷官超,高峰,袁文辉,夏冬林,赵修建.磷掺杂对非晶硅薄膜结构及光电性能的影响[J].硅酸盐学报,2011,39(4):568-571. |
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| 作者姓名： | 殷官超 高峰 袁文辉 夏冬林 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,硅酸盐材料教育部重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，中央高校基本科研业务费专项资金资助 |
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| 摘 要： | 采用射频等离子增强化学气相沉积方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜.通过Raman散射光谱研究了不同磷烷掺杂含量薄膜的微结构,利用分光光度计对薄膜的厚度、消光系数和折射率进行了模拟,用高阻仪测得了非晶硅薄膜暗电导率.结果表明:薄膜的中程有序度随着磷掺杂量φ(体积分数)的增加而减小;折射率在φ为0.8%时最大;...
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| 关 键 词： | 氧化非晶硅 等离子增强化学气相沉积 Raman 散射光谱 暗电导率 |
Effect of Phosphor-Doped Concentration on the Optical and Electrical Properties of a-Si:H Thin Films |
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| YIN Guanchao,GAO Feng,YUAN Wenhui,XIA Donglin,ZHAO Xiujian.Effect of Phosphor-Doped Concentration on the Optical and Electrical Properties of a-Si:H Thin Films[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2011,39(4):568-571. |
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| Authors: | YIN Guanchao GAO Feng YUAN Wenhui XIA Donglin ZHAO Xiujian |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering,Ministry of Education,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman |
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