n~+—GaAs—非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As—n—GaAs电容的电测量

在80～350K的温度范围内,已测得n~+-GaAs-非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As-n-GaAs电容的电流随电压变化曲线(I-V特性)和电容随电压变化曲线(C-V特性)。在低温下此结构的特性类似于一只半导体-绝缘体-半导体二极管,此二极管的底部界面势垒高度和顶部界面势垒高度分别为0.38eV和0.40eV。由于衬底耗尽层的形成,I-V曲线出现整流特性。C-V曲线说明了反偏情况下形成耗尽层、正偏情况下形成积累层,积累层中的电子浓度大于10~(12)/cm~2。此C-V曲线与SIS结构的标准理论相符,假设了积累层中的电子服从费米-狄拉克统计,其中未计入0.16V的电压偏差。