| Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究 |
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| 引用本文： | 杨伟锋,杨克勤,陈厦平,张峰,王良均,吴正云. Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 277-280 |
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| 作者姓名： | 杨伟锋 杨克勤 陈厦平 张峰 王良均 吴正云 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学萨本栋微机电中心,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.
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| 关 键 词： | 4H-SiC Schottky势垒高度 退火 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0277-04 |
| 修稿时间： | 2004-10-12 |
Anealing Effect on Cu/, Ni/4H-SiC Schottky Barrier |
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| Yang Weifeng,Yang Keqin,Chen Xiaping,Zhang Feng,Wang Liangjun,Wu Zhengyun. Anealing Effect on Cu/, Ni/4H-SiC Schottky Barrier[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 277-280 |
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| Authors: | Yang Weifeng Yang Keqin Chen Xiaping Zhang Feng Wang Liangjun Wu Zhengyun |
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