| 突变 HBT准费密能级分裂与复合电流 |
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| 引用本文： | 周守利, 崔海林, 黄永清, 任晓敏,. 突变 HBT准费密能级分裂与复合电流[J]. 电子器件, 2005, 28(3): 509-511 |
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| 作者姓名： | 周守利 崔海林 黄永清 任晓敏 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 要精确描述HBT的复合电流，必须考虑异质结界面处的准费密能级分裂。而重掺杂改变了分裂量的大小．从而使复合电流发生与之相对应的变化。本文利用更准确的考虑了重掺杂效应影响的准费密能级分裂模型，计算了各种复合电流。通过比较得出准费密能级分裂对复合电流的重要性。
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| 关 键 词： | 准费密能级分裂 SRH复合 Auger复合 Radiation复合 |
| 文章编号： | 1005-9490（2005）03-0509-03 |
Analysis Between Electron Quasi-Fermi Level Splitting and Space-Charge-Region Recombination in HBT |
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| ZHOU Shou-li,CUI Hai-lin,HUANG Yong-qing,REN Xiao-min. Analysis Between Electron Quasi-Fermi Level Splitting and Space-Charge-Region Recombination in HBT[J]. Journal of Electron Devices, 2005, 28(3): 509-511 |
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| Authors: | ZHOU Shou-li CUI Hai-lin HUANG Yong-qing REN Xiao-min |
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| Affiliation: | Beijing University of Posts and Telecommunications; Beijing 100876; China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quasi-fermi level splitting SRH recombination:auger recombination radiation recombination |
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