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| 一般性问题 | |
| 摘 要： | TN032005050001TiO2薄膜制备及其氧敏特性/戴振清,孙以材,潘国峰,孟凡斌,李国玉(河北工业大学微电子研究所)//半导体学报.―2005,26(2).―324～328.采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.图5表1参15一般性问题… |
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