兰宝石上异质外延硅淀积条件的选择

采用离子注入掺磷后测量了膜的霍耳迁移率,研究了不同淀积条件对膜特性的影响。表明最佳淀积温度为950℃左右。偏离此温度,迁移率就明显下降;在940—970℃生长温度下,以2μ/分的速率生长的膜比5μ/分生长的膜有更高的迁移率;H_2处理温度对迁移率没有明显的影响,但随H_2处理温度的升高,膜的本征载流子浓度迅速上升。焰熔衬底与直拉衬底相比,膜的霍耳迁移率相近,但场效应迁移率低一些。