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| GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用 | |
| 引用本文： | 顾彪,王三胜,徐茵,秦福文,窦宝锋,常久伟,邓祥,杨大智. GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用[J]. 高技术通讯, 2002, 12(3): 104-110 |
| 作者姓名： | 顾彪 王三胜 徐茵 秦福文 窦宝锋 常久伟 邓祥 杨大智 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连,116024大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 2. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连,116024 3. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024大连理工大学材料科学与工程系,大连,116024 |
| 基金项目： | 86 3计划 ( 86 3 715 0 11 0 0 33)，国家自然科学基金 ( 6 9976 0 0 8)资助项目 |
| 摘 要： | GaN具有禁带宽度大，热导纺高，电子饱和漂移速度大，临界击穿电压高和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景，本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性，材料生长以及在光电器件领域的应用，并对存在的问题和今后的发展趋势提出了自己的看法。 |
| 关 键 词： | GaN 材料性质 外延生长 半导体器件 半导体材料 短波光电器件 氮化镓 |
GaN-based Semiconductor Materials and Its Applications in Short Wavelength Optoelectronic Devices |
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| Abstract: | GaN have the characteristics of wide bandgap, high thermal conductivity, large electron saturation shift velocity and low dielectric constant. They have wide applications in those fields such as high brightness light emitting diodes, short wavelength laser diodes, high performance UV detector, and high temperature, high frequency, large power semiconductor devices. This paper introduces the known characteristics, growth methods, heterostructure and its applications in optoelectronic and microelectronic fields of GaN-based semiconductor materials, followed by our opinions of the remaining difficulties and analysis for further studies. |
| Keywords: | GaN Materials characteristics Epitaxy growth Semiconductor devices |
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