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| 松下电器开发超高速、低压16M位DRAM | |
| 作者姓名： | 苏黎 |
| 摘 要： | 论包器公司开发了世界最高速16MDRAM本产技术特点如下：（l）采仅输入信号使放大器活化的随意定时高速放大电路，采用充放电缩短延迟时间的电流感应使逻辑振癌变小的高速电路，其它新式高速电路等技术。（2）采用O．SHin设计规则的工艺技术，存储器单元来用堆栈式，品体管采用LATID（大倾角注入漏晶体分）。（3）采用LOC技术，将外围电路和缓冲器配置在中央，在电路配置上下功夫，尽量使布线缩短。用上述技术可获得如下性能：（l）可达到高速工作。在3．3V下存取时间为20us，1．SV下为36us。（2）可用30O密耳（7．sum）／。型管壳封… |
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