Mo-MoSi2梯度材料的粉末渗硅法制备

采用粉末Si覆盖在金属Mo的表面,以高频电源为加热热源,使Si在Mo基体中进行高温扩散,制备了MoMoSi2梯度材料,研究了渗硅温度、渗硅时间对Mo-MoSi2梯度层特征的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、能谱等对梯度层的物相、形貌、结构等进行了检测和分析,其结果表明:在1 350℃下,渗硅时间延长至300min,试样表面层可以获得纯MoSi2相,Mo-MoSi2梯度层结构致密,厚度可达到350μm,其物相依次为MoSi2、Mo5Si3、MoSi3、Mo。