(Li,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究 |
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引用本文: | 李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,李明明. (Li,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究[J]. 压电与声光, 2001, 23(5): 362-365 |
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作者姓名: | 李长鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 李明明 |
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作者单位: | 1. 山东大学物理系 2. 济南大学物理系 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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摘 要: | 研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.
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关 键 词: | 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型 掺杂 压敏电阻器 |
文章编号: | 1004-2474(2001)05-0362-04 |
修稿时间: | 2000-11-01 |
Investigation of SnO2-Li2O-Nb2O5Varistor System |
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