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| HL—1M装置原位硅化涂层研究 | |
| 引用本文： | 王明旭,张年满.HL—1M装置原位硅化涂层研究[J].四川真空,1998(2):21-27. |
| 作者姓名： | 王明旭 张年满 |
| 摘 要： | 自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。 |
| 关 键 词： | 等离子体杂质 托卡马克 第一壁 原位硅化涂层 |
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