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| 第六代1200V槽栅FS-IGBT模块 | |
| 引用本文： | 游雪兰,吴郁,张彦飞.第六代1200V槽栅FS-IGBT模块[J].电力电子,2008(3). |
| 作者姓名： | 游雪兰 吴郁 张彦飞 |
| 作者单位： | 北京工业大学; |
| 摘 要： | 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是低噪声辐射、高性能和紧凑性。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。 |
| 关 键 词： | IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值 |
The 6th Generation 1200V Trench Field-Stop IGBT Modules |
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