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达通型硅雪崩光电二极管结参数与倍增特性的计算
引用本文:文雪冬 钟泽祥. 达通型硅雪崩光电二极管结参数与倍增特性的计算[J]. 激光技术, 1993, 17(4): 209-214
作者姓名:文雪冬 钟泽祥
作者单位:1.西南技术物理研究所 成都 610041
摘    要:本文提出了设计达通型硅雪崩光电二极管的分区计算模型。给出了雪崩区参数和倍增特性的计算结果。

关 键 词:发光二极管 雪崩二极管 参数 计算
收稿时间:1993-03-15

The computation of junction partmeters and multiplicstion characteristic of resch-through avalanche photodiode
Abstract:The purpose of this paper is to intduce a dividing region computation model for designing reachthrough avalanche photodiode(RAPD).The eomputed results of the junction parameters and muhiplieationcharacteristics of avalanche region of RAPD are presented.
Keywords:
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