| 分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究 |
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| 引用本文： | 苏栓,李艳辉,周旭昌,杨春章,谭英,高丽华,李全保.分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究[J].红外技术,2009,31(1). |
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| 作者姓名： | 苏栓 李艳辉 周旭昌 杨春章 谭英 高丽华 李全保 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南,昆明,650223 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，装备预先研究项目 |
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| 摘 要： | 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.
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| 关 键 词： | 分子束外延(MBE) 原位退火 Hg1-χCdχTe 汞束流 电学性能 |
A Study of In Situ Annealing of MBE Growth Hg1-xCdxTe |
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| SU Shuan,LI Yan-hui,ZHOU Xu-chang,YANG Chun-zhang,TAN Ying,GAO Li-hua,LI Quan-bao.A Study of In Situ Annealing of MBE Growth Hg1-xCdxTe[J].Infrared Technology,2009,31(1). |
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| Authors: | SU Shuan LI Yan-hui ZHOU Xu-chang YANG Chun-zhang TAN Ying GAO Li-hua LI Quan-bao |
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