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三星用铁存信息

摘要：	三星电子首次成功开发4Mb 铁介质随机存储器(FRAM),该产品结合了动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和快闪存储器的技术优势,并首次应用1T/1C 及 COB 技术,使该产品较同类产品的体积减少一半。FRAM 一直是业界公认的半导体存储器领域性能最好的器件,它便于设计,可应用于传统上采用 DRAM 的数据存储应用领域,同时具有 SRAM 的
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