| 一种深低温环境LVDS驱动电路 |
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| 引用本文： | 蒋大钊,丁瑞军. 一种深低温环境LVDS驱动电路[J]. 微电子学, 2019, 49(5): 648-652 |
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| 作者姓名： | 蒋大钊 丁瑞军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(61534006) |
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| 摘 要： | 研究了深低温环境下MOS管与LVDS驱动电路的工作特性。与常温环境相比,LVDS电路在77 K环境下的输出电流更大,导致输出差分信号幅值增大。MOS管在77 K低温环境下的载流子迁移率为常温下的3倍,导致器件电流增大。根据低温条件下器件变化特性的数据分析结果,调节电路结构与器件参数,设置多档可调参考电流,并调节LVDS输出信号于标准范围内。采用标准0.35 μm CMOS工艺进行流片验证。结果表明,LVDS驱动电路在77 K环境下工作时,共模电平为1.2 V,电压摆幅为400 mV。
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| 关 键 词： | 焦平面阵列 读出电路 低温特性 数字接口 |
| 收稿时间： | 2018-12-10 |
A LVDS Driver Circuit for Deep Low Working Temperature |
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| JIANG Dazhao and DING Ruijun. A LVDS Driver Circuit for Deep Low Working Temperature[J]. Microelectronics, 2019, 49(5): 648-652 |
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| Authors: | JIANG Dazhao and DING Ruijun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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