| 一种用于3D NAND存储器的高压生成电路 |
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| 引用本文： | 李成,赵野,苗林,杨林,王乾乾. 一种用于3D NAND存储器的高压生成电路[J]. 微电子学, 2019, 49(1): 97-101 |
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| 作者姓名： | 李成 赵野 苗林 杨林 王乾乾 |
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| 作者单位： | 长江存储科技有限公司, 武汉 430205;中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,长江存储科技有限公司, 武汉 430205,长江存储科技有限公司, 武汉 430205,长江存储科技有限公司, 武汉 430205;中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 中国科学院科技服务网络计划(STS计划)资助项目(KFJ-STS-ZDTP-045) |
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| 摘 要： | 设计了一种应用于3D NAND 存储器的高压生成电路,包括振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵及反馈环路。与传统的电荷泵相比,新型电荷泵消除了阈值电压损失与衬底偏置效应,提高了升压效率。通过控制时钟的电压幅度来调节输出电压,减小了输出电压纹波。电路在0.32 μm CMOS工艺模型下进行了仿真验证。结果表明,在3.3 V工作电压下,该电路稳定输出15 V的高压,上升时间为3.4 μs,纹波大小为82 mV,最大升压效率可达到76%。该高压生成电路在各项性能指标之间取得了平衡,其突出的综合性能能满足3D NAND存储器的工作需求。
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| 关 键 词： | 3D NAND存储器 振荡器 时钟生成电路 新型电荷泵 |
| 收稿时间： | 2018-04-20 |
A High Voltage Generator Circuit for 3D NAND Flash Memory |
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| LI Cheng,ZHAO Ye,MIAO Lin,YANG Lin and WANG Qianqian. A High Voltage Generator Circuit for 3D NAND Flash Memory[J]. Microelectronics, 2019, 49(1): 97-101 |
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| Authors: | LI Cheng ZHAO Ye MIAO Lin YANG Lin WANG Qianqian |
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| Affiliation: | Yangtze Memory Technologies, Wuhan 430205, P.R.China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Yangtze Memory Technologies, Wuhan 430205, P.R.China,Yangtze Memory Technologies, Wuhan 430205, P.R.China and Yangtze Memory Technologies, Wuhan 430205, P.R.China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 3D NAND flash memory oscillator clock generator circuit novel charge pump |
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