基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器

基于1.6μm InP DHBT工艺，研制了一款MMIC高线性功率放大器。功率放大器采用两级结构，两级管芯皆偏置在AB类状态。功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗，管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性。该芯片的尺寸为2.0 mm×2.9 mm。装壳测试结果表明，在25.5～28.5 GHz频带内，饱和输出功率为23 dBm；经双音测试，输出功率回退2.5 dB后IMD3小于-30 dBc。