| 势垒材料对GaN基异质结电学特性的影响研究 |
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| 引用本文： | 任舰,苏丽娜,李文佳. 势垒材料对GaN基异质结电学特性的影响研究[J]. 微电子学, 2019, 49(3): 404-407, 412 |
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| 作者姓名： | 任舰 苏丽娜 李文佳 |
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| 作者单位： | 淮阴师范学院 物联网工程系, 江苏 淮安 223300,淮阴师范学院 物联网工程系, 江苏 淮安 223300,淮阴师范学院 物联网工程系, 江苏 淮安 223300 |
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| 基金项目： | 江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007,17KJB535001) |
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| 摘 要： | 基于势垒材料分别为Al0.27Ga0.73N和In0.17Al0.83N的GaN基异质结肖特基二极管(SBD),研究了GaN基异质结的漏电流输运机制、二维电子气密度和反向击穿电压等重要电学特性。结果表明,AlGaN/GaN SBD的反向电流主要由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而InAlN/GaN SBD的反向电流在低电场下表现为FP发射电流,在高电场下则表现为Fowler-Nordheim隧穿电流。InAlN/GaN SBD的异质界面二维电子气密度明显高于AlGaN/GaN SBD,但是InAlN层存在高密度的缺陷,导致InAlN/GaN SBD的反向漏电流较大,且反向击穿电压较低。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN InAlN /GaN 电学特性 肖特基二极管 |
| 收稿时间： | 2018-08-07 |
Influence of Barrier Materials on Electrical Characteristics of GaN Based Heterojunction |
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| REN Jian,SU Lina and LI Wenjia. Influence of Barrier Materials on Electrical Characteristics of GaN Based Heterojunction[J]. Microelectronics, 2019, 49(3): 404-407, 412 |
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| Authors: | REN Jian SU Lina LI Wenjia |
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