| 一种55 nm CMOS 5 GHz高效E类射频功率放大器 |
| |
| 引用本文： | 王晓蕾,叶坤,王月恒,倪伟. 一种55 nm CMOS 5 GHz高效E类射频功率放大器[J]. 微电子学, 2019, 49(5): 623-627 |
| |
| 作者姓名： | 王晓蕾 叶坤 王月恒 倪伟 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230601,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230601,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230601,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230601 |
| |
| 基金项目： | 安徽省科技攻关资助项目(JZ2014AKKG0430) |
| |
| 摘 要： | 为了减小功率放大器的功率损耗、提高功率附加效率,基于TSMC 55 nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为5 GHz的高效率E类射频功率放大器。采用包含驱动级的两级电路结构,提高了电路的功率增益。对负载回路进行优化设计,改善了漏极电压与电流波形交叠的问题,进而提升了效率,同时降低了漏极电压的峰值,缓解了晶体管的击穿压力。仿真结果表明,电源电压为2.5 V时,该放大器的输出功率为21.2 dBm,功率附加效率为53.1%。
|
| 关 键 词： | E类功率放大器 CMOS 两级级联结构 功率附加效率 |
| 收稿时间： | 2018-12-03 |
A High Efficiency 5 GHz Class-E Radio Frequency Power Amplifier Utilizing 55 nm CMOS Process |
| |
| WANG Xiaolei,YE Kun,WANG Yueheng and NI Wei. A High Efficiency 5 GHz Class-E Radio Frequency Power Amplifier Utilizing 55 nm CMOS Process[J]. Microelectronics, 2019, 49(5): 623-627 |
| |
| Authors: | WANG Xiaolei YE Kun WANG Yueheng NI Wei |
| |
| Affiliation: | Institute of VLSI Design, Hefei University of Technology, Hefei 230601, P. R. China,Institute of VLSI Design, Hefei University of Technology, Hefei 230601, P. R. China,Institute of VLSI Design, Hefei University of Technology, Hefei 230601, P. R. China and Institute of VLSI Design, Hefei University of Technology, Hefei 230601, P. R. China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
