| 基于SiGe BiCMOS工艺的90~100 GHz单刀双掷开关 |
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| 引用本文： | 施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊,李庄,曹锐. 基于SiGe BiCMOS工艺的90~100 GHz单刀双掷开关[J]. 微电子学, 2019, 49(1): 88-92 |
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| 作者姓名： | 施雨 徐余龙 庞东伟 陈涛 桑磊 李庄 曹锐 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,中国电子科技集团 第三十八研究所, 合肥 230009,中国电子科技集团 第三十八研究所, 合肥 230009 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500) |
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| 摘 要： | 采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90~100 GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号。采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1 dB,共模插入损耗为-7.4 dB,隔离度大于-22 dB,输入反射系数S11<-12 dB,输出反射系数S22<-10 dB。芯片尺寸为570 μm×140 μm。
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| 关 键 词： | SiGe BiCMOS 共模抑制 单刀双掷开关 |
| 收稿时间： | 2018-05-18 |
A 90~100 GHz SPDT Switch Based on SiGe BiCMOS Process |
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| SHI Yu,XU Yulong,PANG Dongwei,CHEN Tao,SANG Lei,LI Zhuang and CAO Rui. A 90~100 GHz SPDT Switch Based on SiGe BiCMOS Process[J]. Microelectronics, 2019, 49(1): 88-92 |
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| Authors: | SHI Yu XU Yulong PANG Dongwei CHEN Tao SANG Lei LI Zhuang CAO Rui |
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| Affiliation: | Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China,Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China,Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China,Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China,Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China,38th Research Institute, China Electronics Technology Group Corp., Hefei 230009, P.R.China and 38th Research Institute, China Electronics Technology Group Corp., Hefei 230009, P.R.China |
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