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一种低工艺偏差的低功耗基准电流源
引用本文:杨慧明,王耀,范文兵.一种低工艺偏差的低功耗基准电流源[J].微电子学,2019,49(2):168-172.
作者姓名:杨慧明  王耀  范文兵
作者单位:郑州大学 信息工程学院, 郑州 450001,郑州大学 信息工程学院, 郑州 450001,郑州大学 信息工程学院, 郑州 450001
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61704022)
摘    要:基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响。采用0.18 μm CMOS工艺对电路进行设计与仿真。结果表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1~4.0 V。在1.2 V电源电压下,基准电流为23.06 nA。在-40 ℃~85 ℃范围内,温度系数为9×10-5/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4%。

关 键 词:基准电流源    低功耗    阀值电压    工艺偏差
收稿时间:2018/7/4 0:00:00

A Low Power Current Reference with Low Process Deviation
YANG Huiming,WANG Yao and FAN Wenbing.A Low Power Current Reference with Low Process Deviation[J].Microelectronics,2019,49(2):168-172.
Authors:YANG Huiming  WANG Yao and FAN Wenbing
Affiliation:School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, P. R. China,School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, P. R. China and School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, P. R. China
Abstract:
Keywords:
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