| 氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究 |
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| 引用本文： | 羊群思,田葵葵,吴静,陈雷雷,刘楚乔,金宁,赵琳娜,闫大为,顾晓峰. 氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究[J]. 微电子学, 2019, 49(3): 399-403 |
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| 作者姓名： | 羊群思 田葵葵 吴静 陈雷雷 刘楚乔 金宁 赵琳娜 闫大为 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504050,11604124,51607022) |
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| 摘 要： | 研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A 降低至1×10-12 A(偏压为 -5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV 增至3.22 eV,接近GaN的禁带宽度,表明最高价带处产生了高浓度的空穴;器件能够实现紫外光探测,在偏压为 -5 V时,紫外/可见光抑制比约为1×103,最高响应度约为0.045 A/W,最大外量子效率约为15.5%,瞬态响应平均衰减时间常数约为35 ms。由此可见,氟等离子体离子注入是调节Au/Ni/n-GaN二极管电学和光学性能的有效手段之一。
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| 关 键 词： | 氟等离子体离子注入 反向泄漏电流 紫外光响应探测 |
| 收稿时间： | 2018-08-29 |
Study on Properties of Au/Ni/n-GaN Diodes with Fluorine Plasma Ion Implantation |
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| YANG Qunsi,TIAN Kuikui,WU Jing,CHEN Leilei,LIU Chuqiao,JIN Ning,ZHAO Linn,YAN Dawei and GU Xiaofeng. Study on Properties of Au/Ni/n-GaN Diodes with Fluorine Plasma Ion Implantation[J]. Microelectronics, 2019, 49(3): 399-403 |
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| Authors: | YANG Qunsi TIAN Kuikui WU Jing CHEN Leilei LIU Chuqiao JIN Ning ZHAO Linn YAN Dawei GU Xiaofeng |
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| Affiliation: | Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China,Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China and Engineering Research Center of IOT Technology ApplicationsMinistry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China |
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| Abstract: | |
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