4 英寸fmax=620 GHz 的 0.25 μm InP DHBT |
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作者姓名: | 戴姜平 常龙 李征 王学鹏 林浩 程伟 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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摘 要: | 报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。
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关 键 词: | 磷化铟双异质结双极型晶体管 自对准 介质钝化 小信号模型 |
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