| 一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS |
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| 引用本文： | 李欢,程骏骥,陈星弼.一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS[J].微电子学,2019,49(1):146-152. |
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| 作者姓名： | 李欢 程骏骥 陈星弼 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610051,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610051,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51237001)；中国青年自然科学基金资助项目(61604030)；电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201612) |
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| 摘 要： | 提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS。与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅。该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布。因此,新结构的击穿电压(VB)与比导通电阻(Ron,sp)之间的折中关系得到显著改善。仿真结果显示,击穿电压为328 V的新结构的Ron,sp为75 mΩ·cm2,仅为同条件下传统结构的48.8%,并且可与同工艺下制作的323 V n-LDMOS的Ron,sp (84 mΩ·cm2)相媲美。这为智能功率集成电路提供了更多更好的选择。
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| 关 键 词： | 积累层 双通道 高侧 p-LDMOS 比导通电阻 |
| 收稿时间： | 2018/2/25 0:00:00 |
An Improved Dual-Path OPTVLD p-LDMOS Using Extended Gate |
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| LI Huan,CHENG Junji and CHEN Xingbi.An Improved Dual-Path OPTVLD p-LDMOS Using Extended Gate[J].Microelectronics,2019,49(1):146-152. |
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| Authors: | LI Huan CHENG Junji and CHEN Xingbi |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610051, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610051, P. R. China and State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610051, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | accumulation layer dual-path high side p-LDMOS specific on-resistance |
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