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一种新型高效率负压电荷泵
引用本文:李成,赵野,苗林,杨林.一种新型高效率负压电荷泵[J].微电子学,2019,49(5):643-647.
作者姓名:李成  赵野  苗林  杨林
作者单位:中国科学院大学, 北京 100029;中国科学院微电子研究所, 北京 100029;长江存储科技有限公司, 武汉 430205,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,长江存储科技有限公司, 武汉 430205,长江存储科技有限公司, 武汉 430205
基金项目:中国科学院科技服务网络计划(STS计划)资助项目(KFJ-STS-ZDTP-045)
摘    要:提出了一种高效率、具有较大电流驱动能力的负压电荷泵。该电荷泵采用三阱CMOS工艺,通过减小寄生电容和传输晶体管的导通电阻,消除了阈值电压损失和NMOS传输晶体管体效应,提高了电荷泵的每级增益。基于0.32 μm CMOS工艺对电荷泵进行了仿真验证。结果表明,相比传统负压电荷泵,该新型负压电荷泵具有较高的输出效率,最大输出效率可达82%。

关 键 词:3D  NAND存储器    负高压    电荷泵    高效率
收稿时间:2018/11/9 0:00:00

A Novel High Efficiency Negative Charge Pump
LI Cheng,ZHAO Ye,MIAO Lin and YANG Lin.A Novel High Efficiency Negative Charge Pump[J].Microelectronics,2019,49(5):643-647.
Authors:LI Cheng  ZHAO Ye  MIAO Lin and YANG Lin
Abstract:
Keywords:
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