|
|||||
|
|
| 用MOCVD方法生长940nm应变多量子阱发光二极管 | |
| 引用本文： | 于永芹 黄柏标 等. 用MOCVD方法生长940nm应变多量子阱发光二极管[J]. 光电子．激光, 2002, 13(7): 682-684 |
| 作者姓名： | 于永芹 黄柏标 等 |
| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101 3. 山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101 |
| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法设计并生长了应变多量子阱InGaAs/AlGaAs,并且对其进行了光致发光（PL）谱、双晶X射线衍射（DXRD）谱和电化学C－V等的测试。然后以InGaAs/AlGaAs作为有源层，以GaAs衬底作为透明衬底，p面金属电极AuBe合金作为镜面反射层，采用倒装技术制备了近红外发光二极管（LED）。在输入电流为20mA下的正向电压为1．2V左右，电致发光谱的峰值波长为938nm,10μA下的反向击穿电压为5－6V，在输入电流为50mA下得出输出功率3．5mW，对应电压为1．3V,在输入电流为300mA时得到最大输出功率为12mW。 |
| 关 键 词： | 发光二极管 LED 应变多量子阱 金属有机物化学气相淀积 MOCVD 倒装技术 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)07-0682-03 |
| 修稿时间： | 2001-12-24 |
MOCVD Growth of 940 nm Strained Multi-quantum Well Light Emitting Diodes |
|
| YU Yong-qin,HUANG Bai-biao,ZHOU Hai-long,WEI Ji-yong,PAN Jiao-qing,YUE Jin-shun,LI Shu-qiang,CHEN Wen-lan,QI Yun,QIN Xiao-yan,ZHANG Xiao-yang,WANG Du-xiang,REN Zhong-xiang. MOCVD Growth of 940 nm Strained Multi-quantum Well Light Emitting Diodes[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2002, 13(7): 682-684 | |
| Authors: | YU Yong-qin HUANG Bai-biao ZHOU Hai-long WEI Ji-yong PAN Jiao-qing YUE Jin-shun LI Shu-qiang CHEN Wen-lan QI Yun QIN Xiao-yan ZHANG Xiao-yang WANG Du-xiang REN Zhong-xiang |
| Affiliation: | 1.State Key L |
| Abstract: | |
| Keywords: | LED Strained multi-quantum wells MOCVD p-side down |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载全文 | |