靶基距对脉冲激光沉积β-FeSi2薄膜质量的影响 |
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引用本文: | 马玉英,刘爱华,任现坤.靶基距对脉冲激光沉积β-FeSi2薄膜质量的影响[J].材料保护,2014(1):31-33,51. |
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作者姓名: | 马玉英 刘爱华 任现坤 |
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作者单位: | 山东凯文科技职业学院;山东师范大学物理与电子科学学院;山东力诺太阳能电力股份有限公司; |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(10874103;11047161);国家高技术研究与发展计划(863计划)重点项目(2012AA050303;2011AA050504);山东省自主创新成果项目(2010ZHZX1A0702国2011ZHZX1A0701)资助 |
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摘 要: | 常用的分子束外延、粒子束沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜,利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si(100)基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响。结果表明:随着靶基距的增加,薄膜的晶化程度先变差后增强再变差,晶粒尺寸先减小后增大再减小,颗粒分布均匀性先变好后变差;表面粗糙度先减小后增大;靶基距为40 mm时,β-FeSi2薄膜的结晶度较高,颗粒大小均匀、趋于球形化,薄膜致密性较好,粗糙度较低,对红外光的吸收较好。
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关 键 词: | 脉冲激光沉积 β-FeSi薄膜 靶基距 结晶质量 光吸收特性 |
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