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MOD法制备的Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3
引用本文:马建华,孟祥建,孙璟兰,褚君浩.MOD法制备的Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3[J].无机材料学报,2005,20(1):163-168.
作者姓名:马建华  孟祥建  孙璟兰  褚君浩
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
基金项目:国家自然科学基金(60221502,60223006);上海市A-M基金(0306)
摘    要:采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜,在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择.没有中间温度预退火过程的薄膜,显示出(100)择优取向;而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向.对薄膜铁电性能的研究表明,没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差,经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能.晶型结构取向和缺陷是影响PLZT。薄膜铁电性能的两个主要因素.

关 键 词:PLZT薄膜  中间温度预退火  晶型结构  铁电性能
文章编号:1000-324X(2005)01-0163-06
收稿时间:2003-12-4
修稿时间:2004-2-11

Crystallinity and Ferroelectricity of MOD-derived Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin Films
MA Jian-Hua,MENG Xiang-Jian,SUN Jing-Lan,CHU Jun-Hao.Crystallinity and Ferroelectricity of MOD-derived Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin Films[J].Journal of Inorganic Materials,2005,20(1):163-168.
Authors:MA Jian-Hua  MENG Xiang-Jian  SUN Jing-Lan  CHU Jun-Hao
Affiliation:NationalLaboratoryforInfraredPhysics,ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200083,China
Abstract:
Keywords:PLZT thin films  intermediate pre-annealing process  crystallinity  ferroelectricity
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