| GaN生长工艺流程实时监控系统 |
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| 引用本文： | 王三胜,顾彪,徐茵,王知学,杨大智.GaN生长工艺流程实时监控系统[J].半导体技术,2002,27(1):65-69,73. |
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| 作者姓名： | 王三胜 顾彪 徐茵 王知学 杨大智 |
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| 作者单位： | 1. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,辽宁大连,116024;2. 大连理工大学材料科学与工程系,辽宁大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);71 5-011-0033; |
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| 摘 要： | 分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套以80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.
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| 关 键 词： | 外延生长 G aN薄膜 实时监控 光电隔离 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)01-0065-05 |
Real - time monitoring system of GaN growth process |
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| WANG San-sheng,GU Biao,XU Yin,WANG Zhi-xue,YANG Da-zhi.Real - time monitoring system of GaN growth process[J].Semiconductor Technology,2002,27(1):65-69,73. |
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| Authors: | WANG San-sheng GU Biao XU Yin WANG Zhi-xue YANG Da-zhi |
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| Abstract: | The paper analyzes the process characteristics of epitaxial growth for GaN single-crystal films using ECR-MOCVD devices, and the main factors which effect the GaN crystallinequality during the epitaxial growth. Then, we design a set of monitoring system comprised of PCcomputer and photoelectric circuits based on 80C31 microcomputer, which was used in the epitaxialgrowth process of GaN film. Also we proposed a kind of suitable monitoring method for process. |
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| Keywords: | epitaxial growth GaN film real-time monitoring photoelectric-isolation |
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