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TiN纳米晶材料烧结规律研究
引用本文:曹立宏,欧阳世翕,王胜军,王新祥,时东霞. TiN纳米晶材料烧结规律研究[J]. 材料科学与工程学报, 1994, 0(3)
作者姓名:曹立宏  欧阳世翕  王胜军  王新祥  时东霞
作者单位:武汉工业大学
摘    要:采用直流电弧氮等离子体蒸发─凝聚法制备了纯度大于98%粒径可控的高纯TiN纳米粉末。并通过原位加压,制得了纳米晶固体材料。探索了不同温度下TiN纳米晶材料的晶粒尺寸和密度的变化规律。探讨了烧结过程中它的致密化过程。结果表明,温度较低时(<1100℃),晶粒长大不明显,密度提高不大。温度升高(>1100℃).晶粒长大迅速,密度明显增大。同时,常温下TiN纳米晶材料断面不平坦,有“类团聚体”存在,它对TiN纳米晶材料的烧结致密化有重要影响。

关 键 词:纳米晶材料、氮化钛(TiN),等离子体,晶粒生长,致密化

A Research on Sintering Process of TiN Nanostructured Materials
Cao Lihong, OuYang Sixi, Wang Shengjun, Wang Xinxiang, Shi Dongxia. A Research on Sintering Process of TiN Nanostructured Materials[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 1994, 0(3)
Authors:Cao Lihong   OuYang Sixi   Wang Shengjun   Wang Xinxiang   Shi Dongxia
Affiliation:Wuhan University of Technology
Abstract:
Keywords:nanostructured materials   Titanium Nitride(TiN)   plasma   grain growth   densification  
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