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φ50mm多层GaAs气相外延技术
作者姓名:程祺祥 许毅
作者单位:机电部南京五十五所(程祺祥,许毅),机电部南京五十五所(王秀珍)
摘    要:介绍了自行设计制造的φ50~76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。

关 键 词:砷化镓 汽相外延生长
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