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| 砷化镓ASIC电路实用库的研究 | |
| 引用本文： | 杨国洪,范恒,王碧娟,夏冠群,章洪深,甘骏人,姚林声,凌雷.砷化镓ASIC电路实用库的研究[J].半导体学报,1995,16(12):932-936. |
| 作者姓名： | 杨国洪 范恒 王碧娟 夏冠群 章洪深 甘骏人 姚林声 凌雷 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例． |
| 关 键 词： | 专用集成电路 砷化镓 数据库 设计 |
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