| 生长温度对Ge2Sb2Te5薄膜的相变行为以及微观结构的影响 |
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| 引用本文： | 都健,潘石,吴世法,张庆瑜. 生长温度对Ge2Sb2Te5薄膜的相变行为以及微观结构的影响[J]. 电子显微学报, 2006, 25(4): 328-332 |
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| 作者姓名： | 都健 潘石 吴世法 张庆瑜 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性。分析结果表明：室温沉积的薄膜为非晶态；沉积温度为100℃～250℃时，薄膜转变为晶粒尺度约14nm的面心立方结构；300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增，且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系。
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| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 薄膜反射率 |
| 文章编号： | 1000-6280（2006）04-0328-05 |
| 收稿时间： | 2006-04-16 |
| 修稿时间： | 2006-04-162006-05-20 |
Influences of growth temperature on the phase transition behavior and microstructures of Ge2Sb2Te5 films |
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| DU Jian,PAN Shi,WU Shi-Fa,ZHANG Qing-Yu. Influences of growth temperature on the phase transition behavior and microstructures of Ge2Sb2Te5 films[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2006, 25(4): 328-332 |
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| Authors: | DU Jian PAN Shi WU Shi-Fa ZHANG Qing-Yu |
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| Affiliation: | 1 State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beam, 2 Department of Physics, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning 116024, China |
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| Keywords: | Ge2 Sb2 Te5 film magnetron sputtering morphology reflectivity |
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