| AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能 |
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| 引用本文： | 王新华,王晓亮,肖红领,王翠梅,冉军学,罗卫军,王保柱,冯春,杨翠柏,马志勇,胡国新,曾一平,李晋闽. AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 388-390 |
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| 作者姓名： | 王新华 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 罗卫军 王保柱 冯春 杨翠柏 马志勇 胡国新 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 王新华（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王晓亮（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;肖红领（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王翠梅（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;冉军学（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;罗卫军（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王保柱（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;冯春（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;杨翠柏（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;马志勇（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;胡国新（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李晋闽（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
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| 关 键 词： | AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度 AlGaN 肖特基二极管 电学性能 Characteristic Electrical 改善 中温退火 因子分 势垒高度 特性计算 的整流特性 测试 比接触电阻率 表面 沉积 电子束蒸发 欧姆接触 肖特基接触 器件 材料制备 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0388-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-22 |
Electrical Characteristic of AlGaN/AlN/GaN Schottky Diode |
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| Wang Xinhua,Wang Xiaoliang,Xiao Hongling,Wang Cuimei,Ran Junxue,Luo Weijun,Wang Baozhu,Feng Chun,Yang Cuibai,Ma Zhiyong,Hu Guoxin,Zeng Yiping,Li Jinmin. Electrical Characteristic of AlGaN/AlN/GaN Schottky Diode[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 388-390 |
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| Authors: | Wang Xinhua Wang Xiaoliang Xiao Hongling Wang Cuimei Ran Junxue Luo Weijun Wang Baozhu Feng Chun Yang Cuibai Ma Zhiyong Hu Guoxin Zeng Yiping Li Jinmin |
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