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| 改进工艺的1000A／2500V逆阻型GTO | |
| 引用本文： | 张昌利,陈治明.改进工艺的1000A／2500V逆阻型GTO[J].半导体技术,1997(4):39-42. |
| 作者姓名： | 张昌利 陈治明 |
| 作者单位： | [1]西安电力电子技术研究所 [2]西安理工大学 |
| 摘 要： | 论述了１０００Ａ，２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺，掺氯氧化，高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化，从而获得了优化开关特性的ＧＴＯ元件。 |
| 关 键 词： | 电力半导体器件 可关断晶闸管 大功率 逆阻型 |
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